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BDS651

产品描述Transistor,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小270KB,共6页
制造商North American Philips Discrete Products Div
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BDS651概述

Transistor,

BDS651规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)3 A
配置DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)1000
JESD-609代码e0
最高工作温度150 °C
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)8 W
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)10 MHz
Base Number Matches1

BDS651相似产品对比

BDS651 BDS647 BDS649 BDS643 BDS645
描述 Transistor, Transistor, Transistor, Transistor, Transistor,
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown
最大集电极电流 (IC) 3 A 3 A 3 A 3 A 3 A
配置 DARLINGTON DARLINGTON DARLINGTON DARLINGTON DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE) 1000 1000 1000 1000 1000
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 PNP PNP PNP PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 8 W 8 W 8 W 8 W 8 W
表面贴装 YES YES YES YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT) 10 MHz 10 MHz 10 MHz 10 MHz 10 MHz
Base Number Matches 1 1 1 1 1
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