Variable Capacitance Diode, 12pF C(T), 28V, Silicon, DIE-1
参数名称 | 属性值 |
零件包装代码 | DIE |
包装说明 | O-LALF-W2 |
针数 | 1 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | LOW LEAKAGE |
最小击穿电压 | 28 V |
外壳连接 | ISOLATED |
配置 | SINGLE |
二极管电容容差 | 5% |
最小二极管电容比 | 4.2 |
标称二极管电容 | 12 pF |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
JESD-30 代码 | O-LALF-W2 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 150 °C |
最低工作温度 | -65 °C |
封装主体材料 | GLASS |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | LONG FORM |
认证状态 | Not Qualified |
最小质量因数 | 13 |
最大反向电流 | 0.1 µA |
反向测试电压 | 25 V |
表面贴装 | NO |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | AXIAL |
Base Number Matches | 1 |
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