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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> CT25AM12E
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CT25AM12E

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 25A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小118KB，共2页
制造商POWEREX
官网地址http://www.pwrx.com/Home.aspx
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CT25AM12E概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 25A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel,

CT25AM12E规格参数

参数名称属性值
厂商名称POWEREX
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)25 A
集电极-发射极最大电压600 V
最大降落时间（tf）300 ns
门极发射器阈值电压最大值6 V
门极-发射极最大电压20 V
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大上升时间（tr）200 ns
表面贴装NO

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