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AP9A102B-6VC

产品描述Cache SRAM, 256KX4, 6ns, CMOS, PDSO28
产品类别存储    存储   
文件大小288KB,共8页
制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )
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AP9A102B-6VC概述

Cache SRAM, 256KX4, 6ns, CMOS, PDSO28

AP9A102B-6VC规格参数

参数名称属性值
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.2.B
最长访问时间6 ns
JESD-30 代码R-PDSO-J28
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型CACHE SRAM
内存宽度4
功能数量1
端子数量28
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256KX4
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式J BEND
端子位置DUAL
Base Number Matches1
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