AP9B102L-8VC,AP9B102L-8VC pdf中文资料,AP9B102L-8VC引脚图,AP9B102L-8VC电路-Datasheet-电子工程世界

AP9B102L-8VC: 产品描述Cache SRAM, 256KX4, 8ns, CMOS, PDSO28; 产品类别存储存储; 文件大小224KB，共7页; 制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )

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AP9B102L-8VC概述

Cache SRAM, 256KX4, 8ns, CMOS, PDSO28

AP9B102L-8VC规格参数

参数名称	属性值
包装说明	,
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A991.B.2.B
最长访问时间	8 ns
JESD-30 代码	R-PDSO-J28
内存密度	1048576 bit
内存集成电路类型	CACHE SRAM
内存宽度	4
功能数量	1
端子数量	28
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	256KX4
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL
认证状态	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	J BEND
端子位置	DUAL
Base Number Matches	1

AP9B102L-8VC相似产品对比

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描述	Cache SRAM, 256KX4, 8ns, CMOS, PDSO28	Cache SRAM, 256KX4, 12ns, CMOS, PDSO28	Cache SRAM, 256KX4, 12ns, CMOS, PDSO28	Cache SRAM, 256KX4, 15ns, CMOS, PDSO28	Cache SRAM, 256KX4, 10ns, CMOS, PDSO28	Cache SRAM, 256KX4, 10ns, CMOS, PDSO28	Cache SRAM, 256KX4, 8ns, CMOS, PDSO28	Cache SRAM, 256KX4, 15ns, CMOS, PDSO28
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B
最长访问时间	8 ns	12 ns	12 ns	15 ns	10 ns	10 ns	8 ns	15 ns
JESD-30 代码	R-PDSO-J28	R-PDSO-J28	R-PDSO-J28	R-PDSO-J28	R-PDSO-J28	R-PDSO-J28	R-PDSO-J28	R-PDSO-J28
内存密度	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit
内存集成电路类型	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM
内存宽度	4	4	4	4	4	4	4	4
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	28	28	28	28	28	28	28	28
字数	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words
字数代码	256000	256000	256000	256000	256000	256000	256000	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	256KX4	256KX4	256KX4	256KX4	256KX4	256KX4	256KX4	256KX4
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	J BEND	J BEND	J BEND	J BEND	J BEND	J BEND	J BEND	J BEND
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL

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