SRAM Module, 512KX32, 12ns, CMOS, PGA-66
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
零件包装代码 | PGA |
包装说明 | PGA, PGA66,11X11 |
针数 | 66 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | 3A001.A.2.C |
最长访问时间 | 12 ns |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | S-XPGA-P66 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 27.305 mm |
内存密度 | 16777216 bit |
内存集成电路类型 | SRAM MODULE |
内存宽度 | 32 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 66 |
字数 | 524288 words |
字数代码 | 512000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
组织 | 512KX32 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装代码 | PGA |
封装等效代码 | PGA66,11X11 |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | GRID ARRAY |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | 3.3 V |
认证状态 | Not Qualified |
筛选级别 | MIL-STD-883 Class C |
座面最大高度 | 4.5974 mm |
最大待机电流 | 0.06 A |
最小待机电流 | 3 V |
最大压摆率 | 0.32 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | PIN/PEG |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | PERPENDICULAR |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
宽度 | 27.305 mm |
Base Number Matches | 1 |
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