BDS61概述

Transistor,

BDS61规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
包装说明	,
Reach Compliance Code	unknown
最大集电极电流 (IC)	4 A
配置	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)	750
JESD-609代码	e0
最高工作温度	150 °C
极性/信道类型	PNP
最大功率耗散 (Abs)	8 W
表面贴装	YES
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)	10 MHz

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

	BDS61	0402100VC104G4T2A	BDS61C	BDS61A
描述	Transistor,	Automotive MLCC	Transistor,	Transistor,
是否Rohs认证	不符合	-	不符合	不符合
Reach Compliance Code	unknown	-	unknown	unknow
最大集电极电流 (IC)	4 A	-	4 A	4 A
配置	DARLINGTON	-	DARLINGTON	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)	750	-	750	750
JESD-609代码	e0	-	e0	e0
最高工作温度	150 °C	-	150 °C	150 °C
极性/信道类型	PNP	-	PNP	PNP
最大功率耗散 (Abs)	8 W	-	8 W	8 W
表面贴装	YES	-	YES	YES
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)	10 MHz	-	10 MHz	10 MHz

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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