M58WR032QB70ZB6E,M58WR032QB70ZB6E pdf中文资料,M58WR032QB70ZB6E引脚图,M58WR032QB70ZB6E电路-Datasheet-电子工程世界

M58WR032QB70ZB6E: 产品描述16 Mbit and 32 Mbit (x16, Multiple Bank, Burst) 1.8V supply Flash memories; 产品类别存储存储; 文件大小2MB，共110页; 制造商Numonyx ( Micron ); 官网地址https://www.micron.com; 标准

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M58WR032QB70ZB6E概述

16 Mbit and 32 Mbit (x16, Multiple Bank, Burst) 1.8V supply Flash memories

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Numonyx ( Micron )
零件包装代码	BGA
包装说明	VFBGA, BGA56,7X8,30
针数	56
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	3A991.B.1.A
最长访问时间	70 ns
其他特性	SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE
启动块	BOTTOM
命令用户界面	YES
通用闪存接口	YES
数据轮询	NO
JESD-30 代码	R-PBGA-B56
JESD-609代码	e1
长度	9 mm
内存密度	33554432 bi
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	16
功能数量	1
部门数/规模	8,63
端子数量	56
字数	2097152 words
字数代码	2000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	2MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	VFBGA
封装等效代码	BGA56,7X8,30
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
页面大小	4 words
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	1.8,1.8/2 V
编程电压	1.8 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1 mm
部门规模	4K,32K
最大待机电流	0.00005 A
最大压摆率	0.045 mA
最大供电电压 (Vsup)	2 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	BALL
端子节距	0.75 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
切换位	NO
类型	NOR TYPE
宽度	7.7 mm

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