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AFM04P3-212

产品描述RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小26KB,共3页
制造商Skyworks(思佳讯)
官网地址http://www.skyworksinc.com
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AFM04P3-212概述

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET

AFM04P3-212规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明DISK BUTTON, O-CRDB-F4
Reach Compliance Codeunknown
其他特性LOW NOISE
外壳连接SOURCE
配置SINGLE
最小漏源击穿电压6 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)0.19 A
FET 技术METAL SEMICONDUCTOR
最高频带K BAND
JESD-30 代码O-CRDB-F4
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量4
工作模式DEPLETION MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式DISK BUTTON
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值0.7 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式FLAT
端子位置RADIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches1

AFM04P3-212相似产品对比

AFM04P3-212 AFM04P3-213
描述 RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET
是否Rohs认证 不符合 不符合
包装说明 DISK BUTTON, O-CRDB-F4 DISK BUTTON, O-CRDB-F4
Reach Compliance Code unknown unknown
其他特性 LOW NOISE LOW NOISE
外壳连接 SOURCE SOURCE
配置 SINGLE SINGLE
最小漏源击穿电压 6 V 6 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 0.19 A 0.19 A
FET 技术 METAL SEMICONDUCTOR METAL SEMICONDUCTOR
最高频带 K BAND K BAND
JESD-30 代码 O-CRDB-F4 O-CRDB-F4
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 1 1
端子数量 4 4
工作模式 DEPLETION MODE DEPLETION MODE
最高工作温度 175 °C 175 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 DISK BUTTON DISK BUTTON
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
功耗环境最大值 0.7 W 0.7 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 FLAT FLAT
端子位置 RADIAL RADIAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE
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