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M58BW32FB5T3T

产品描述512K X 32 FLASH 3.3V PROM, 45 ns, PQFP80
产品类别存储    存储   
文件大小1MB,共87页
制造商Numonyx ( Micron )
官网地址https://www.micron.com
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M58BW32FB5T3T概述

512K X 32 FLASH 3.3V PROM, 45 ns, PQFP80

512K × 32 FLASH 3.3V 可编程只读存储器, 45 ns, PQFP80

M58BW32FB5T3T规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Numonyx ( Micron )
零件包装代码QFP
包装说明QFP, QFP80,.7X.9,32
针数80
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码3A991.B.1.A
最长访问时间55 ns
其他特性SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE; BOTTOM BOOT BLOCK
启动块BOTTOM
命令用户界面YES
通用闪存接口YES
数据轮询NO
JESD-30 代码R-PQFP-G80
长度20 mm
内存密度33554432 bi
内存集成电路类型FLASH
内存宽度32
功能数量1
部门数/规模4,8,62
端子数量80
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
组织1MX32
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QFP
封装等效代码QFP80,.7X.9,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK
页面大小4 words
并行/串行PARALLEL
电源3/3.3 V
编程电压3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.4 mm
部门规模4K,2K,16K
最大待机电流0.00015 A
最大压摆率0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)3.3 V
最小供电电压 (Vsup)2.5 V
标称供电电压 (Vsup)2.7 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级AUTOMOTIVE
端子形式GULL WING
端子节距0.8 mm
端子位置QUAD
切换位NO
类型NOR TYPE
宽度14 mm
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