M58BW16FT5T3T,M58BW16FT5T3T pdf中文资料,M58BW16FT5T3T引脚图,M58BW16FT5T3T电路-Datasheet-电子工程世界

M58BW16FT5T3T: 产品描述512K X 32 FLASH 3.3V PROM, 45 ns, PQFP80; 产品类别存储存储; 文件大小1MB，共87页; 制造商Numonyx ( Micron ); 官网地址https://www.micron.com

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M58BW16FT5T3T概述

512K X 32 FLASH 3.3V PROM, 45 ns, PQFP80

512K × 32 FLASH 3.3V 可编程只读存储器, 45 ns, PQFP80

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
零件包装代码	QFP
包装说明	QFP, QFP80,.7X.9,32
针数	80
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	55 ns
其他特性	SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE; TOP BOOT BLOCK
启动块	TOP
命令用户界面	YES
通用闪存接口	YES
数据轮询	NO
JESD-30 代码	R-PQFP-G80
长度	20 mm
内存密度	16777216 bi
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	32
湿度敏感等级	1
功能数量	1
部门数/规模	8,31
端子数量	80
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	512KX32
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	QFP
封装等效代码	QFP80,.7X.9,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225
电源	2.5/3.3,3/3.3 V
编程电压	3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	3.4 mm
部门规模	2K,16K
最大待机电流	0.00015 A
最大压摆率	0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.3 V
最小供电电压 (Vsup)	2.5 V
标称供电电压 (Vsup)	2.7 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	AUTOMOTIVE
端子形式	GULL WING
端子节距	0.8 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
切换位	NO
类型	NOR TYPE
宽度	14 mm
Base Number Matches	1

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器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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