AS7C251MPFD18A-166TQI,AS7C251MPFD18A-166TQI pdf中文资料,AS7C251MPFD18A-166TQI引脚图,AS7C251MPFD18A-166TQI电路-Datasheet-电子工程世界

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AS7C251MPFD18A-166TQI: 产品描述Standard SRAM, 1MX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100; 产品类别存储存储; 文件大小493KB，共19页; 制造商ALSC [Alliance Semiconductor Corporation]

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AS7C251MPFD18A-166TQI概述

Standard SRAM, 1MX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100

AS7C251MPFD18A-166TQI规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
零件包装代码	QFP
包装说明	LQFP, QFP100,.63X.87
针数	100
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	3.5 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)	166 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PQFP-G100
JESD-609代码	e0
长度	20 mm
内存密度	18874368 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	18
功能数量	1
端子数量	100
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	1MX18
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LQFP
封装等效代码	QFP100,.63X.87
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	2.5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm
最大待机电流	0.04 A
最小待机电流	2.38 V
最大压摆率	0.29 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.625 V
最小供电电压 (Vsup)	2.375 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.65 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	14 mm
Base Number Matches	1

AS7C251MPFD18A-166TQI相似产品对比

	AS7C251MPFD18A-166TQI	AS7C251MPFD18A-133TQC	AS7C251MPFD18A-133TQCN	AS7C251MPFD18A-166TQIN
描述	Standard SRAM, 1MX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100	Standard SRAM, 1MX18, 3.8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100	Standard SRAM, 1MX18, 3.8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TQFP-100	Standard SRAM, 1MX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TQFP-100
是否Rohs认证	不符合	不符合	符合	符合
零件包装代码	QFP	QFP	QFP	QFP
包装说明	LQFP, QFP100,.63X.87	LQFP, QFP100,.63X.87	LQFP, QFP100,.63X.87	LQFP, QFP100,.63X.87
针数	100	100	100	100
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	3.5 ns	3.8 ns	3.8 ns	3.5 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)	166 MHz	133 MHz	133 MHz	166 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100
JESD-609代码	e0	e0	e3	e3
长度	20 mm	20 mm	20 mm	20 mm
内存密度	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	18	18	18	18
功能数量	1	1	1	1
端子数量	100	100	100	100
字数	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words
字数代码	1000000	1000000	1000000	1000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	70 °C	70 °C	85 °C
组织	1MX18	1MX18	1MX18	1MX18
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LQFP	LQFP	LQFP	LQFP
封装等效代码	QFP100,.63X.87	QFP100,.63X.87	QFP100,.63X.87	QFP100,.63X.87
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	245	245
电源	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm
最大待机电流	0.04 A	0.04 A	0.04 A	0.04 A
最小待机电流	2.38 V	2.38 V	2.38 V	2.38 V
最大压摆率	0.29 mA	0.27 mA	0.27 mA	0.29 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.625 V	2.625 V	2.625 V	2.625 V
最小供电电压 (Vsup)	2.375 V	2.375 V	2.375 V	2.375 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	MATTE TIN	MATTE TIN
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm
端子位置	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	30	30
宽度	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm
Base Number Matches	1	1	1	1

AS7C251MPFD18A-166TQI

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