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APM9922KC-TU

产品描述Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小215KB,共10页
制造商American Power Devices Inc
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APM9922KC-TU概述

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

APM9922KC-TU规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Reach Compliance Codeunknown
最大漏极电流 (Abs) (ID)6 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码e0
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)2 W
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches1

APM9922KC-TU相似产品对比

APM9922KC-TU APM9922KC-TRL APM9922KC-TR
描述 Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
是否Rohs认证 不符合 符合 不符合
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
最大漏极电流 (Abs) (ID) 6 A 6 A 6 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 2 W 2 W 2 W
表面贴装 YES YES YES
Base Number Matches 1 1 1
JESD-609代码 e0 - e0
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb)
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