Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS, PBGA54, CSP-54
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 包装说明 | VFBGA, BGA54,9X9,32 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 访问模式 | DUAL BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间 | 6 ns |
| 其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 143 MHz |
| I/O 类型 | COMMON |
| 交错的突发长度 | 1,2,4,8 |
| JESD-30 代码 | S-PBGA-B54 |
| 长度 | 8 mm |
| 内存密度 | 16777216 bit |
| 内存集成电路类型 | SYNCHRONOUS DRAM |
| 内存宽度 | 16 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 54 |
| 字数 | 1048576 words |
| 字数代码 | 1000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 1MX16 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | VFBGA |
| 封装等效代码 | BGA54,9X9,32 |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 电源 | 3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 刷新周期 | 2048 |
| 座面最大高度 | 1 mm |
| 自我刷新 | YES |
| 连续突发长度 | 1,2,4,8,FP |
| 最大待机电流 | 0.0007 A |
| 最大压摆率 | 0.06 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 0.8 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 宽度 | 8 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| A43L0616BG-7F | A43L0616BG-6F | A43L0616BG-7UF | |
|---|---|---|---|
| 描述 | Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS, PBGA54, CSP-54 | Synchronous DRAM, 1MX16, 5.5ns, CMOS, PBGA54, CSP-54 | Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS, PBGA54, CSP-54 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 |
| 包装说明 | VFBGA, BGA54,9X9,32 | VFBGA, BGA54,9X9,32 | VFBGA, BGA54,9X9,32 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown |
| 访问模式 | DUAL BANK PAGE BURST | DUAL BANK PAGE BURST | DUAL BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间 | 6 ns | 5.5 ns | 6 ns |
| 其他特性 | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 143 MHz | 166 MHz | 143 MHz |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON |
| 交错的突发长度 | 1,2,4,8 | 1,2,4,8 | 1,2,4,8 |
| JESD-30 代码 | S-PBGA-B54 | S-PBGA-B54 | S-PBGA-B54 |
| 长度 | 8 mm | 8 mm | 8 mm |
| 内存密度 | 16777216 bit | 16777216 bit | 16777216 bit |
| 内存集成电路类型 | SYNCHRONOUS DRAM | SYNCHRONOUS DRAM | SYNCHRONOUS DRAM |
| 内存宽度 | 16 | 16 | 16 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端口数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 54 | 54 | 54 |
| 字数 | 1048576 words | 1048576 words | 1048576 words |
| 字数代码 | 1000000 | 1000000 | 1000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 85 °C |
| 组织 | 1MX16 | 1MX16 | 1MX16 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | VFBGA | VFBGA | VFBGA |
| 封装等效代码 | BGA54,9X9,32 | BGA54,9X9,32 | BGA54,9X9,32 |
| 封装形状 | SQUARE | SQUARE | SQUARE |
| 封装形式 | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 电源 | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 刷新周期 | 2048 | 2048 | 2048 |
| 座面最大高度 | 1 mm | 1 mm | 1 mm |
| 自我刷新 | YES | YES | YES |
| 连续突发长度 | 1,2,4,8,FP | 1,2,4,8,FP | 1,2,4,8,FP |
| 最大待机电流 | 0.0007 A | 0.0007 A | 0.0007 A |
| 最大压摆率 | 0.06 mA | 0.06 mA | 0.06 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3 V | 3 V | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | INDUSTRIAL |
| 端子形式 | BALL | BALL | BALL |
| 端子节距 | 0.8 mm | 0.8 mm | 0.8 mm |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
| 宽度 | 8 mm | 8 mm | 8 mm |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 |
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