Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> A42U2604S-80

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A42U2604S-80: 产品描述EDO DRAM, 4MX4, 80ns, CMOS, PDSO24, SOJ-26/24; 产品类别存储存储; 文件大小265KB，共25页; 制造商AMICC [AMIC TECHNOLOGY]

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A42U2604S-80概述

EDO DRAM, 4MX4, 80ns, CMOS, PDSO24, SOJ-26/24

A42U2604S-80规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
包装说明	SOJ, SOJ24/26,.34
Reach Compliance Code	unknown
访问模式	FAST PAGE
最长访问时间	80 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-J24
JESD-609代码	e0
长度	17.15 mm
内存密度	16777216 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM
内存宽度	4
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	24
字数	4194304 words
字数代码	4000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	4MX4
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOJ
封装等效代码	SOJ24/26,.34
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
电源	2.5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	2048
座面最大高度	3.56 mm
自我刷新	YES
最大待机电流	0.0005 A
最大压摆率	0.06 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.75 V
最小供电电压 (Vsup)	2.25 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	J BEND
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
宽度	7.62 mm
Base Number Matches	1

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A42U2604 Series

Preliminary

Document Title

4M X 4 CMOS DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE

Revision History

Rev. No.

0.0

0.1

0.2

4M X 4 CMOS DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE

History

Initial issue

Modify symbol H

dimensions in TSOP 24L package information

Modify AC. and DC. data

Issue Date

June 13, 2001

July 10, 2001

December 12, 2001

Remark

Preliminary

(December, 2001, Version 0.2)

AMIC Technology, Inc.

A42U2604S-80相似产品对比

	A42U2604S-80	A42U2604S-50
描述	EDO DRAM, 4MX4, 80ns, CMOS, PDSO24, SOJ-26/24	EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, SOJ-26/24
是否Rohs认证	不符合	不符合
包装说明	SOJ, SOJ24/26,.34	SOJ, SOJ24/26,.34
Reach Compliance Code	unknown	unknown
访问模式	FAST PAGE	FAST PAGE
最长访问时间	80 ns	50 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH
I/O 类型	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-J24	R-PDSO-J24
JESD-609代码	e0	e0
长度	17.15 mm	17.15 mm
内存密度	16777216 bit	16777216 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM	EDO DRAM
内存宽度	4	4
功能数量	1	1
端口数量	1	1
端子数量	24	24
字数	4194304 words	4194304 words
字数代码	4000000	4000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C
组织	4MX4	4MX4
输出特性	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOJ	SOJ
封装等效代码	SOJ24/26,.34	SOJ24/26,.34
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
电源	2.5 V	2.5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	2048	2048
座面最大高度	3.56 mm	3.56 mm
自我刷新	YES	YES
最大待机电流	0.0005 A	0.0005 A
最大压摆率	0.06 mA	0.07 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.75 V	2.75 V
最小供电电压 (Vsup)	2.25 V	2.25 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V
表面贴装	YES	YES
技术	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	J BEND	J BEND
端子节距	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL
宽度	7.62 mm	7.62 mm
Base Number Matches	1	1

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