4-CH 12-BIT SUCCESSIVE APPROXIMATION ADC, PARALLEL ACCESS, CDIP28, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28 |
| 针数 | 28 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | 3A001.A.2.C |
| 最大模拟输入电压 | 5 V |
| 最小模拟输入电压 | |
| 最长转换时间 | 150 µs |
| 转换器类型 | ADC, SUCCESSIVE APPROXIMATION |
| JESD-30 代码 | R-CDIP-T28 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 标称负供电电压 | -5 V |
| 模拟输入通道数量 | 4 |
| 位数 | 12 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 28 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 输出位码 | BINARY |
| 输出格式 | PARALLEL, 8 BITS |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP28,.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | +-5,15 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B |
| 座面最大高度 | 5.72 mm |
| 最大压摆率 | 7.5 mA |
| 标称供电电压 | 15 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 15.24 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| AD7582TD/883B | AD7582TE/883B | AD7582KP-REEL | |
|---|---|---|---|
| 描述 | 4-CH 12-BIT SUCCESSIVE APPROXIMATION ADC, PARALLEL ACCESS, CDIP28, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28 | IC 4-CH 12-BIT SUCCESSIVE APPROXIMATION ADC, PARALLEL ACCESS, CQCC28, CERAMIC, LCC-28, Analog to Digital Converter | IC 4-CH 12-BIT SUCCESSIVE APPROXIMATION ADC, PARALLEL ACCESS, PQCC28, PLASTIC, LCC-28, Analog to Digital Converter |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 零件包装代码 | DIP | QLCC | QLCC |
| 包装说明 | SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28 | CERAMIC, LCC-28 | PLASTIC, LCC-28 |
| 针数 | 28 | 28 | 28 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant | unknown |
| ECCN代码 | 3A001.A.2.C | 3A001.A.2.C | EAR99 |
| 最大模拟输入电压 | 5 V | 5 V | 5 V |
| 最长转换时间 | 150 µs | 150 µs | 100 µs |
| 转换器类型 | ADC, SUCCESSIVE APPROXIMATION | ADC, SUCCESSIVE APPROXIMATION | ADC, SUCCESSIVE APPROXIMATION |
| JESD-30 代码 | R-CDIP-T28 | S-CQCC-N28 | S-PQCC-J28 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 |
| 标称负供电电压 | -5 V | -5 V | -5 V |
| 模拟输入通道数量 | 4 | 4 | 4 |
| 位数 | 12 | 12 | 12 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 28 | 28 | 28 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -40 °C |
| 输出位码 | BINARY | BINARY | BINARY |
| 输出格式 | PARALLEL, 8 BITS | PARALLEL, 8 BITS | PARALLEL, 8 BITS |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP | QCCN | QCCJ |
| 封装等效代码 | DIP28,.6 | LCC28,.45SQ | LDCC28,.5SQ |
| 封装形状 | RECTANGULAR | SQUARE | SQUARE |
| 封装形式 | IN-LINE | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | 220 | 225 |
| 电源 | +-5,15 V | +-5,15 V | +-5,15 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.72 mm | 2.54 mm | 4.57 mm |
| 标称供电电压 | 15 V | 15 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | TIN LEAD |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | NO LEAD | J BEND |
| 端子节距 | 2.54 mm | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | QUAD | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | 30 | 30 |
| 宽度 | 15.24 mm | 11.43 mm | 11.505 mm |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B | 38535Q/M;38534H;883B | - |
| 最大压摆率 | 7.5 mA | 7.5 mA | - |
| Base Number Matches | 1 | 1 | - |
| 长度 | - | 11.43 mm | 11.505 mm |
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