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M54HC73D1

产品描述RAD HARD DUAL J-K FLIP FLOP WITH PRESET AND CLEAR
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小205KB,共11页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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M54HC73D1概述

RAD HARD DUAL J-K FLIP FLOP WITH PRESET AND CLEAR

M54HC73D1规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP14,.3
针数14
Reach Compliance Code_compli
系列HC/UH
JESD-30 代码R-CDIP-T14
JESD-609代码e0
长度19 mm
负载电容(CL)50 pF
逻辑集成电路类型J-K FLIP-FLOP
最大频率@ Nom-Su20000000 Hz
最大I(ol)0.004 A
位数2
功能数量2
端子数量14
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
输出极性COMPLEMENTARY
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DIP
封装等效代码DIP14,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源2/6 V
Prop。Delay @ Nom-Su38 ns
传播延迟(tpd)190 ns
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.7 mm
最大供电电压 (Vsup)6 V
最小供电电压 (Vsup)2 V
标称供电电压 (Vsup)4.5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
总剂量50k Rad(Si) V
触发器类型NEGATIVE EDGE
宽度7.62 mm
最小 fmax24 MHz

M54HC73D1相似产品对比

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描述 RAD HARD DUAL J-K FLIP FLOP WITH PRESET AND CLEAR RAD HARD DUAL J-K FLIP FLOP WITH PRESET AND CLEAR RAD HARD DUAL J-K FLIP FLOP WITH PRESET AND CLEAR RAD HARD DUAL J-K FLIP FLOP WITH PRESET AND CLEAR RAD HARD DUAL J-K FLIP FLOP WITH PRESET AND CLEAR RAD HARD DUAL J-K FLIP FLOP WITH PRESET AND CLEAR
是否无铅 含铅 含铅 - - 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 - - 不符合 不符合
厂商名称 ST(意法半导体) ST(意法半导体) - - ST(意法半导体) ST(意法半导体)
零件包装代码 DIP DIP - - DFP DFP
包装说明 DIP, DIP14,.3 DIP, DIP14,.3 - - DFP, FL14,.3 DFP, FL14,.3
针数 14 14 - - 14 14
Reach Compliance Code _compli _compli - - _compli _compli
系列 HC/UH HC/UH - - HC/UH HC/UH
JESD-30 代码 R-CDIP-T14 R-CDIP-T14 - - R-CDFP-F14 R-CDFP-F14
JESD-609代码 e0 e0 - - e0 e0
长度 19 mm 19 mm - - 9.95 mm 9.95 mm
负载电容(CL) 50 pF 50 pF - - 50 pF 50 pF
逻辑集成电路类型 J-K FLIP-FLOP J-K FLIP-FLOP - - J-K FLIP-FLOP J-K FLIP-FLOP
最大频率@ Nom-Su 20000000 Hz 20000000 Hz - - 20000000 Hz 20000000 Hz
最大I(ol) 0.004 A 0.004 A - - 0.004 A 0.004 A
位数 2 2 - - 2 2
功能数量 2 2 - - 2 2
端子数量 14 14 - - 14 14
最高工作温度 125 °C 125 °C - - 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C - - -55 °C -55 °C
输出极性 COMPLEMENTARY COMPLEMENTARY - - COMPLEMENTARY COMPLEMENTARY
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED - - CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 DIP DIP - - DFP DFP
封装等效代码 DIP14,.3 DIP14,.3 - - FL14,.3 FL14,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR - - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE - - FLATPACK FLATPACK
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 2/6 V 2/6 V - - 2/6 V 2/6 V
Prop。Delay @ Nom-Su 38 ns 38 ns - - 38 ns 38 ns
传播延迟(tpd) 190 ns 190 ns - - 190 ns 190 ns
认证状态 Not Qualified Not Qualified - - Not Qualified Not Qualified
最大供电电压 (Vsup) 6 V 6 V - - 6 V 6 V
最小供电电压 (Vsup) 2 V 2 V - - 2 V 2 V
标称供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V - - 4.5 V 4.5 V
表面贴装 NO NO - - YES YES
技术 CMOS CMOS - - CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY - - MILITARY MILITARY
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) TIN LEAD - - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE - - FLAT FLAT
端子节距 2.54 mm 2.54 mm - - 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL - - DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
总剂量 50k Rad(Si) V 50k Rad(Si) V - - 50k Rad(Si) V 50k Rad(Si) V
触发器类型 NEGATIVE EDGE NEGATIVE EDGE - - NEGATIVE EDGE NEGATIVE EDGE
宽度 7.62 mm 7.62 mm - - 6.91 mm 6.91 mm
最小 fmax 24 MHz 24 MHz - - 24 MHz 24 MHz

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