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IS61VF102418-7.5B3I

产品描述Cache SRAM, 1MX18, 7.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-165
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文件大小163KB,共29页
制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )
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IS61VF102418-7.5B3I概述

Cache SRAM, 1MX18, 7.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-165

IS61VF102418-7.5B3I规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码BGA
包装说明BGA,
针数165
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间7.5 ns
其他特性FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
JESD-30 代码R-PBGA-B165
JESD-609代码e0
内存密度18874368 bit
内存集成电路类型CACHE SRAM
内存宽度18
功能数量1
端子数量165
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织1MX18
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)2.625 V
最小供电电压 (Vsup)2.375 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层TIN LEAD
端子形式BALL
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

 
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