TZ 285 S
Elektrische Eigenschaften
Höchstzulässige Werte
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-
Spitzensperrspannung
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
Rückwärts-
Stoßspitzensperrspannung
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
Dauergrenzstrom
Stoßstrom-Grenzwert
Grenzlastintegral
Kritische Stromsteilheit
Kritische Spannungssteilheit
Electrical properties
Maximum rated values
repetitive peak forward off-state and
reverse voltages
non-repetitive peak forward off-state
voltage
non-repetitive peak reverse voltage
RMS on-state current
average on-state current
surge current
I
2
t-value
critical rate of rise of on-state current
critical rate of rise of off-state voltage
t
vj
= -40°C...t
vj max
t
vj
= -40°C...t
vj max
t
vj
= +25°C...t
vj max
V
DRM
, V
RRM
1600 1800 2000 V
V
DSM
V
RSM
I
TRMSM
I
TAVM
I
TSM
I
2
t
(di
T
/dt)
cr
(dv
D
/dt)
cr
50
500
1000
1000
v
T
V
T(TO)
r
T
I
GT
V
GT
I
GD
V
GD
I
H
I
L
i
D
, i
R
t
gd
t
q
max.
1600 1800 2000 V
1700 1900 2100 V
800
285
510
9,3
8
433 · 10
3
345 · 10
3
300
2)
1)
t
c
= 85°C
t
c
= 37°C
t
vj
= 25°C, t
p
= 10 ms
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10 ms
t
vj
= 25°C, t
p
= 10 ms
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10 ms
DIN IEC 747-6, f = 50 Hz
I
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/µs
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 0,67 V
DRM
6.Kennbuchstabe/6th letter B
6.Kennbuchstabe/6th letter C
6.Kennbuchstabe/6th letter L
6.Kennbuchstabe/6th letter M
t
vj
= t
vj max
, i
T
= 1500 A
t
vj
= t
vj max
t
vj
= t
vj max
t
vj
= 25 °C, v
D
= 12 V
t
vj
= 25 °C, v
D
= 12 V
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 12 V
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
t
vj
= 25 °C, v
D
= 12 V, R
A
= 10
Ω
t
vj
= 25 °C,v
D
= 12 V, R
GK
> = 10
Ω
i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/µs, t
g
= 20 µs
A
A
A
kA
kA
A
2
s
A
2
s
A/µs
3)
50
500
50
500
2,65
1,30
0,72
250
2,2
10
5
0,25
300
1500
V/µs
V/µs
V/µs
V/µs
V
V
mΩ
mA
V
mA
mA
V
mA
mA
Charakteristische Werte
Durchlaßspannung
Schleusenspannung
Ersatzwiderstand
Zündstrom
Zündspannung
Nicht zündender Steuerstrom
Nicht zündende Steuerspannung
Haltestrom
Einraststrom
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
Zündverzug
Freiwerdezeit
Characteristic values
on-state voltage
threshold voltage
slope resistance
gate trigger current
gate trigger voltage
gate non-trigger current
gate non-trigger voltage
holding current
latching current
forward off-state and reverse currents
gate controlled delay time
circuit commutated turn-off time
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
t
vj
= t
vj max
v
D
= V
DRM
, v
R
= V
RRM
DIN IEC 747-6, t
vj
= 25°C
i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/µs
t
vj
= t
vj max
, i
TM
= I
TAVM
v
RM
= 100 V, v
DM
= 0,67 V
DRM
-di
T
/dt = 20 A/µs
dv
D
/dt = 6.Kennbuchstabe/6th letter
5.Kennbuchstabe/5th letter N
5.Kennbuchstabe/5th letter T
5.Kennbuchstabe/5th letter U
RMS, f = 50 Hz, 1 min.
RMS, f = 50 Hz, 1 sec.
100 mA
1,5 µs
max.
max.
max.
V
ISOL
60
80
120
3
µs
µs
µs
kV
3,6 kV
max.
0,078 °C/W
Thermische Eigenschaften
Innerer Wärmewiderstand
Übergangs-Wärmewiderstand
Höchstzul.Sperrschichttemperatur
Betriebstemperatur
Lagertemperatur
Mechanische Eigenschaften
Si-Elemente mit Druckkontakt,
Amplifying-Gate, verzweigt
Innere Isolation
Anzugsdrehmoment für mechanische
Befestigung
Anzugsdrehmoment für elektrische
Anschlüsse
Gewicht
Kriechstrecke
Schwingfestigkeit
1)
2)
3)
Thermal properties
thermal resistance, junction
to case
thermal resistance, case to heatsink
max. junction temperature
operating temperature
storage temperature
Mechanical properties
Si-pellet with pressure contact,
amplifying gate, interdigitated
internal insulation
mounting torque
terminal connection torque
weight
creepage distance
vibration resistance
pro Modul/per module,
Θ
=180° sin R
thJC
pro Modul/per module,
Θ
=180° sin
pro Modul/per module
R
thCK
t
vj max
t
c op
t
stg
max. 0,0745 °C/W
max.
0,02 °C/W
125 °C
-40...+125 °C
-40...+130 °C
Toleranz/tolerance +/- 15%
Toleranz/tolerance +5%/-10%
M1
M2
G
typ.
AlN
6 Nm
12 Nm
900 g
15 mm
50 m/s²
f = 50 Hz
1300 V auf Anfrage / 1300 V on demand
Werte nach DIN IEC 747-6 (ohne vorausgehende Kommutierung) / Values according to DIN IEC 747-6 (without prior commutation)
Unmittelbar nach der Freiwerdezeit, vgl. Meßbedingungen für t
q
. / Immediately after circuit commutated turn-off time, see parameters for t
q
.
嵌入式系统
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