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IRFY440ME

产品描述Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 500V, 0.98ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小133KB,共7页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
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IRFY440ME概述

Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 500V, 0.98ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB

IRFY440ME规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
包装说明FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3
Reach Compliance Codecompliant
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压500 V
最大漏极电流 (ID)5.5 A
最大漏源导通电阻0.98 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-257AB
JESD-30 代码S-MSFM-P3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料METAL
封装形状SQUARE
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值60 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)22 A
认证状态Not Qualified
参考标准CECC
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式PIN/PEG
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)123 ns
最大开启时间(吨)94 ns
Base Number Matches1

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PD - 94193
POWER MOSFET
THRU-HOLE (TO-257AA)
Product Summary
Part Number
IRFY440
IRFY440M
IRFY440,IRFY440M
500V, N-CHANNEL
HEXFET
MOSFET TECHNOLOGY
®
R
DS(on)
0.85
0.85
I
D
7.0A
7.0A
Eyelets
Glass
Glass
HEXFET
®
MOSFET technology is the key to International
Rectifier’s advanced line of power MOSFET transistors. The
efficient geometry design achieves very low on-state re-
sistance combined with high transconductance.
HEXFET
transistors also feature all of the well-established advan-
tages of MOSFETs, such as voltage control, very fast switch-
ing, ease of paralleling and electrical parameter temperature
stability. They are well-suited for applications such as switch-
ing power supplies, motor controls, inverters, choppers,
audio amplifiers, high energy pulse circuits, and virtually
any application where high reliability is required. The
HEXFET
transistor’s totally isolated package eliminates the
need for additional isolating material between the device
and the heatsink. This improves thermal efficiency and
reduces drain capacitance.
TO-257AA
Features:
n
n
n
n
n
n
Simple Drive Requirements
Ease of Paralleling
Hermetically Sealed
Electrically Isolated
Glass Eyelets
For Space Level Applications
Refer to Ceramic Version Part
Numbers IRFY440C, IRFY440CM
Absolute Maximum Ratings
Parameter
ID @ VGS = 10V, TC = 25°C Continuous Drain Current
ID @ VGS = 10V, TC = 100°C Continuous Drain Current
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv/dt
TJ
T STG
Pulsed Drain Current
Max. Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
Operating Junction
Storage Temperature Range
Lead Temperature
Weight
For footnotes refer to the last page
7.0
4.4
28
100
0.8
±20
510
7.0
10
3.5
-55 to 150
300(0.063in./1.6mm from case for 10 sec)
3.3 (Typical)
W
W/°C
Units
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
o
C
g
www.irf.com
1
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