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HM62V16102LBPI-2

产品描述Standard SRAM, 1MX16, 25ns, CMOS, PBGA48, 0.75 MM PITCH, CSP-48
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文件大小114KB,共19页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HM62V16102LBPI-2概述

Standard SRAM, 1MX16, 25ns, CMOS, PBGA48, 0.75 MM PITCH, CSP-48

HM62V16102LBPI-2规格参数

参数名称属性值
零件包装代码BGA
包装说明BGA, BGA48,6X8,30
针数48
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间25 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PBGA-B48
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度16
功能数量1
端子数量48
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织1MX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装等效代码BGA48,6X8,30
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
电源2.5/3.3 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.00003 A
最小待机电流2.2 V
最大压摆率0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.2 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式BALL
端子节距0.75 mm
端子位置BOTTOM
Base Number Matches1

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HM62V16102I Series
Wide Temperature Range Version
16 M SRAM (1-Mword
×
16-bit)
ADE-203-1248A(Z)
Preliminary
Rev. 0.1
Sep. 27, 2001
Description
The Hitachi HM62V16102I Series is 16-Mbit static RAM organized 1-Mword
×
16-bit. HM62V16102I
Series has realized higher density, higher performance and low power consumption by employing Hi-CMOS
process technology. It offers low power standby power dissipation; therefore, it is suitable for battery backup
systems. It is packaged in 48 bumps chip size package with 0.75 mm bump pitch for high density surface
mounting.
Features
Single 2.5 V and 3.0 V supply: 2.2 V to 3.6 V
Fast access time: 25/35 ns (max)
Page access time: 15/20 ns (max)
Power dissipation:
Active: TBD (typ)
Standby: 1.5 µW (typ)
Completely static memory.
No clock or timing strobe required
Equal access and cycle times
Common data input and output.
Three state output
Battery backup operation.
2 chip selection for battery backup
Temperature range: –40 to +85°C
Preliminary: The specification of this device are subject to change without notice. Please contact your
nearest Hitachi’s Sales Dept. regarding specification.

HM62V16102LBPI-2相似产品对比

HM62V16102LBPI-2 HM62V16102LBPI-2SL HM62V16102LBPI-3 HM62V16102LBPI-3SL
描述 Standard SRAM, 1MX16, 25ns, CMOS, PBGA48, 0.75 MM PITCH, CSP-48 Standard SRAM, 1MX16, 25ns, CMOS, PBGA48, 0.75 MM PITCH, CSP-48 Standard SRAM, 1MX16, 35ns, CMOS, PBGA48, 0.75 MM PITCH, CSP-48 Standard SRAM, 1MX16, 35ns, CMOS, PBGA48, 0.75 MM PITCH, CSP-48
零件包装代码 BGA BGA BGA BGA
包装说明 BGA, BGA48,6X8,30 BGA, BGA48,6X8,30 BGA, BGA48,6X8,30 0.75 MM PITCH, CSP-48
针数 48 48 48 48
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
最长访问时间 25 ns 25 ns 35 ns 35 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PBGA-B48 R-PBGA-B48 R-PBGA-B48 R-PBGA-B48
内存密度 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 16 16 16 16
功能数量 1 1 1 1
端子数量 48 48 48 48
字数 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words
字数代码 1000000 1000000 1000000 1000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
组织 1MX16 1MX16 1MX16 1MX16
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 BGA BGA BGA BGA
封装等效代码 BGA48,6X8,30 BGA48,6X8,30 BGA48,6X8,30 BGA48,6X8,30
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
电源 2.5/3.3 V 2.5/3.3 V 2.5/3.3 V 2.5/3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大待机电流 0.00003 A 0.000005 A 0.00003 A 0.000005 A
最小待机电流 2.2 V 2.2 V 2.2 V 2.2 V
最大压摆率 0.05 mA 0.05 mA 0.05 mA 0.05 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 2.2 V 2.2 V 2.2 V 2.2 V
标称供电电压 (Vsup) 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V
表面贴装 YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子形式 BALL BALL BALL BALL
端子节距 0.75 mm 0.75 mm 0.75 mm 0.75 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM

 
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