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MWT-773

产品描述RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小555KB,共2页
制造商IXYS
标准  
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MWT-773概述

RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET,

MWT-773规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
Reach Compliance Codecompliant
配置SINGLE
FET 技术METAL SEMICONDUCTOR
最高频带K BAND
JESD-30 代码X-CXMW-F4
JESD-609代码e4
湿度敏感等级2
元件数量1
端子数量4
工作模式DEPLETION MODE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状UNSPECIFIED
封装形式MICROWAVE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Gold (Au)
端子形式FLAT
端子位置UNSPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches1
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