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MWT-273HP

产品描述RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, NULL
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小233KB,共4页
制造商Microwave_Technology_Inc.
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MWT-273HP概述

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, NULL

MWT-273HP规格参数

参数名称属性值
包装说明DISK BUTTON, O-PRDB-F4
Reach Compliance Codeunknown
外壳连接SOURCE
配置SINGLE
FET 技术METAL SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)0.05 pF
最高频带K BAND
JESD-30 代码O-PRDB-F4
元件数量1
端子数量4
工作模式DEPLETION MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式DISK BUTTON
极性/信道类型N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)8 dB
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置RADIAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches1

MWT-273HP相似产品对比

MWT-273HP MWT-2HP MWT-270HP
描述 RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, NULL TRANSISTOR K BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MESFET, FET RF Small Signal RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, HERMETIC SEALED PACKAGE-4
包装说明 DISK BUTTON, O-PRDB-F4 UNCASED CHIP, R-XUUC-N7 MICROWAVE, S-CQMW-F4
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
FET 技术 METAL SEMICONDUCTOR METAL SEMICONDUCTOR METAL SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 0.05 pF 0.05 pF 0.05 pF
最高频带 K BAND K BAND K BAND
JESD-30 代码 O-PRDB-F4 R-XUUC-N7 S-CQMW-F4
元件数量 1 1 1
端子数量 4 7 4
工作模式 DEPLETION MODE DEPLETION MODE DEPLETION MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY UNSPECIFIED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 ROUND RECTANGULAR SQUARE
封装形式 DISK BUTTON UNCASED CHIP MICROWAVE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp) 8 dB 8 dB 8 dB
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES
端子形式 FLAT NO LEAD FLAT
端子位置 RADIAL UPPER QUAD
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE
外壳连接 SOURCE - SOURCE
最高工作温度 175 °C - 175 °C
Base Number Matches 1 1 -
厂商名称 - Microwave_Technology_Inc. Microwave_Technology_Inc.

 
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