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UPA2807T1L-E2-AT

产品描述UPA2807T1L-E2-AT
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小209KB,共8页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
标准  
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UPA2807T1L-E2-AT概述

UPA2807T1L-E2-AT

UPA2807T1L-E2-AT规格参数

参数名称属性值
Brand NameRenesas
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码HVSON
包装说明HALOGEN FREE AND LEAD FREE, HVSON-8
针数8
制造商包装代码PVSN0008JD-A8
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)34 A
最大漏极电流 (ID)34 A
最大漏源导通电阻0.0046 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-F8
元件数量1
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)52 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)150 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

UPA2807T1L-E2-AT相似产品对比

UPA2807T1L-E2-AT UPA2807T1L-E1-AT
描述 UPA2807T1L-E2-AT UPA2807T1L-E1-AT
Brand Name Renesas Renesas
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
零件包装代码 HVSON HVSON
包装说明 HALOGEN FREE AND LEAD FREE, HVSON-8 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8
针数 8 8
制造商包装代码 PVSN0008JD-A8 PVSN0008JD-A8
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 30 V 30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 34 A 34 A
最大漏极电流 (ID) 34 A 34 A
最大漏源导通电阻 0.0046 Ω 0.0046 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PDSO-F8 R-PDSO-F8
元件数量 1 1
端子数量 8 8
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 52 W 52 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 150 A 150 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子形式 FLAT FLAT
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON

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