UZXT10P12DE6TA,UZXT10P12DE6TA pdf中文资料,UZXT10P12DE6TA引脚图,UZXT10P12DE6TA电路-Datasheet-电子工程世界

UZXT10P12DE6TA: 产品描述Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 6 Pin, SUPERSOT-6; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小233KB，共6页; 制造商Diodes Incorporated

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UZXT10P12DE6TA概述

Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 6 Pin, SUPERSOT-6

	UZXT10P12DE6TA	UZXT10P12DE6TC
描述	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 6 Pin, SUPERSOT-6	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 6 Pin, SUPERSOT-6
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数	6	6
Reach Compliance Code	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99
最大集电极电流 (IC)	3 A	3 A
集电极-发射极最大电压	12 V	12 V
配置	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	45	45
JESD-30 代码	R-PDSO-G6	R-PDSO-G6
JESD-609代码	e3	e3
湿度敏感等级	1	1
元件数量	1	1
端子数量	6	6
最高工作温度	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260	260
极性/信道类型	PNP	PNP
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES
端子面层	MATTE TIN	MATTE TIN
端子形式	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40	40
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	110 MHz	110 MHz
Base Number Matches	1	1

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ