电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

BUX33

产品描述Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AA, Metal, 2 Pin
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小204KB,共5页
制造商Harris
官网地址http://www.harris.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

BUX33概述

Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AA, Metal, 2 Pin

BUX33规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Codeunknown
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)12 A
基于收集器的最大容量250 pF
集电极-发射极最大电压400 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)6
JEDEC-95代码TO-204AA
JESD-30 代码O-MBFM-P2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值150 W
最大功率耗散 (Abs)150 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)15 MHz
最大关闭时间(toff)3400 ns
最大开启时间(吨)550 ns
VCEsat-Max4 V
Base Number Matches1

BUX33相似产品对比

BUX33 BUX33B BUX33A
描述 Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AA, Metal, 2 Pin Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AA, Metal, 2 Pin Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AA, Metal, 2 Pin
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
包装说明 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 12 A 12 A 12 A
基于收集器的最大容量 250 pF 250 pF 250 pF
集电极-发射极最大电压 400 V 500 V 450 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 6 6 6
JEDEC-95代码 TO-204AA TO-204AA TO-204AA
JESD-30 代码 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2
JESD-609代码 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1
端子数量 2 2 2
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C
封装主体材料 METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN NPN NPN
功耗环境最大值 150 W 150 W 150 W
最大功率耗散 (Abs) 150 W 150 W 150 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 15 MHz 15 MHz 15 MHz
最大关闭时间(toff) 3400 ns 3400 ns 3400 ns
最大开启时间(吨) 550 ns 550 ns 550 ns
VCEsat-Max 4 V 4 V 4 V
Base Number Matches 1 1 1
厂商名称 - Harris Harris

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2058  138  1981  692  1181  45  18  51  29  15 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved