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IXCP001N140E

产品描述Power Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 1400V, 2200ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小501KB,共2页
制造商Littelfuse
官网地址http://www.littelfuse.com
标准
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IXCP001N140E概述

Power Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 1400V, 2200ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN

IXCP001N140E规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codecompliant
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压1400 V
最大漏极电流 (ID)0.02 A
最大漏源导通电阻2200 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Pure Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

IXCP001N140E相似产品对比

IXCP001N140E IXCA001N140E
描述 Power Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 1400V, 2200ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 1400V, 2200ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN
是否Rohs认证 符合 符合
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code compliant compliant
外壳连接 DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压 1400 V 1400 V
最大漏极电流 (ID) 0.02 A 0.02 A
最大漏源导通电阻 2200 Ω 2200 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-220AB TO-263AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSSO-G2
元件数量 1 1
端子数量 3 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO YES
端子面层 Pure Tin (Sn) Pure Tin (Sn)
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管元件材料 SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1
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