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IXTC200N085T

产品描述Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 85V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, ISOPLUS220, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小144KB,共5页
制造商IXYS
标准  
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IXTC200N085T概述

Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 85V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, ISOPLUS220, 3 PIN

IXTC200N085T规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED
雪崩能效等级(Eas)1000 mJ
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压85 V
最大漏极电流 (ID)110 A
最大漏源导通电阻0.0055 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSIP-T3
JESD-609代码e1
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)600 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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