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BR315_R1_00001

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 150V V(RRM), Silicon, DO-214AA, SMB, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小535KB,共5页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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BR315_R1_00001概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 150V V(RRM), Silicon, DO-214AA, SMB, 2 PIN

BR315_R1_00001规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明R-PDSO-C2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.9 V
JEDEC-95代码DO-214AA
JESD-30 代码R-PDSO-C2
最大非重复峰值正向电流80 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压150 V
最大反向电流50 µA
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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BR34 SERIES
MINI SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
VOLTAGE
40 to 200 Volts
CURRENT
3.0 Amperes
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O
• For surface mounted applications
• Low profile package
• Built-in strain relief
• Metal to silicon rectifier. majority carrier conduction
• Low power loss,high efficiency
• High surge capacity
• For use in low voltage high frequency inverters, free wheeling,
and polarity protection applications
• Lead free in comply with EU RoHS
2011/65/EU
directives.
Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)
0.155(3.94)
0.130(3.30)
0.083(2.11)
0.075(1.91)
0.185(4.70)
0.160(4.06)
0.012(0.305)
0.006(0.152)
0.096(2.44)
0.083(2.13)
0.050(1.27)
0.030(0.76)
0.220(5.59)
0.200(5.08)
2
MECHANICAL DATA
Case: JEDEC DO-214AA molded plastic
Terminals:Solder plated, solderable per MIL-STD-750,Method 2026
Polarity: Color band denotes positive end (cathode)
Standard packaging: 12mm tape (EIA-481)
Weight: 0.0032 ounce, 0.092 gram
1
Cathode
Anode
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Resistive or inductive load.
PARAMETER
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Current
Peak Forward Surge Current : 8.3ms single half sine-wave
superimposed on rated load (JEDEC method)
Maximum Forward Voltage at 3.0A ( Notes 1)
Maximum DC Reverse Current at Rated DC Blocking
Voltage
Typical Thermal Resistance ( Notes 2)
Op e ra ti ng J unc ti o n a nd S to ra g e Te mp e ra ture Ra ng e
T
J
=25
O
C
T
J
=100
O
C
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
V
F
I
R
R
θJA
R
θJL
T
J
,T
S TG
BR34
BR34A
BR35
BR36
BR38
BR39
BR310
BR315
BR320
UNITS
V
V
V
A
A
40
28
40
45
3 1 .5
45
50
35
50
60
42
60
80
56
80
3.0
80
90
63
90
100
70
100
150
105
150
200
140
200
0.70
0.74
0.05
20
75
20
0.80
0.90
V
mA
O
C/W
O
-55 to +150
-65 to +175
C
NOTES:
1. Pulse Test with PW =300µsec, 2% Duty Cycle.
2. Mounted on P.C. Board with 8.0mm
2
(.013mm thick) copper pad areas.
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PAGE . 1
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