电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

N2130B1TBC1S

产品描述Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小22KB,共1页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
下载文档 详细参数 全文预览

N2130B1TBC1S概述

Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon,

N2130B1TBC1S规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
包装说明R-XXMA-X
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-XXMA-X
元件数量4
相数1
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UNSPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 284  358  436  1072  1200 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved