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NVD-4

产品描述Rectifier Diode, 4 Element, 0.005A, 1200V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小47KB,共2页
制造商EDI [Electronic devices inc.]
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NVD-4概述

Rectifier Diode, 4 Element, 0.005A, 1200V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-2

NVD-4规格参数

参数名称属性值
包装说明S-PALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性FOR USE IN NIGHT VISION EQUIPMENT POWER SUPPLIES
外壳连接ISOLATED
配置SEPARATE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)4 V
JESD-30 代码S-PALF-W2
元件数量4
端子数量2
最高工作温度100 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流0.005 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状SQUARE
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压1200 V
最大反向恢复时间0.1 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

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NVD NVDX ARRAYS
NIGHT VISION
H.V. RECTIFIER DIODES & ARRAYS
These diodes and arrays have been specifically designed for use in night vision and image
intensifier equipment power supplies. They offer unusual characteristics that have not been
previously available. As a result of a proprietary EDI diffusion process, they feature small size
and a unique combination of extremely low leakage and ultra fast recovery time.
Diode Specifications @ 23 C
(Absolute Maximum Unless
Otherwise Specified)
PRV
IF
VF @ 1 mA d c
Junction Capacitance
I R @ 1,000 Vdc @ 23 C
I R @ 1,000 Vdc @ 55 C
I R @ 500 Vdc
I R @ 500 Vdc @ 55 C
I R @ 250 Vdc @ 23 C
I R @ 250 Vdc @ 55 C
Trr (
Reverse Recovery Time
),Fig.4
Temperature Range: Operating
Temperature Range: Storage
O
O
O
O
O
o
NVDX Diode
(Standard Recovery)
1,000 Vdc
5.0mA
6.0 V
NVD Diode
And Diode Arrays
(Fast Recovery)
1,200 Vdc
5.0mA
4.0 V
0.35pF . @500 Vdc
0.5 nanoamperes
5.0 nanoamperes
1.0 nanoamperes typical
5.0 nanoamperes max.
25 nanoamperes
0.1 nanoamperes typical
0.25 nanoamperes max.
1.0 nanoamperes typical
2.0 nanoamperes max.
50 ns typical
100 ns max.
-55 C to +100 C
-63 C to +125 C
o
o
o
o
-55 C to +100 C
-63 C to +125 C
o
o
o
o
EDI reserves the right to change these specifications at any time without notice.
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