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GS8330LW36C-250T

产品描述Late-Write SRAM, 1MX36, 2.1ns, CMOS, PBGA209, 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, BGA-209
产品类别存储    存储   
文件大小581KB,共30页
制造商GSI Technology
官网地址http://www.gsitechnology.com/
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GS8330LW36C-250T概述

Late-Write SRAM, 1MX36, 2.1ns, CMOS, PBGA209, 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, BGA-209

GS8330LW36C-250T规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码BGA
包装说明BGA,
针数209
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.B
最长访问时间2.1 ns
其他特性PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码R-PBGA-B209
长度22 mm
内存密度37748736 bit
内存集成电路类型LATE-WRITE SRAM
内存宽度36
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量209
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织1MX36
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)1.95 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度14 mm
Base Number Matches1
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