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MTD5N05

产品描述Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 50V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小72KB,共1页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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MTD5N05概述

Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 50V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252

MTD5N05规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压50 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)5 A
最大漏极电流 (ID)5 A
最大漏源导通电阻0.4 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)50 pF
JEDEC-95代码TO-252
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值20 W
最大功率耗散 (Abs)20 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)14 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)100 ns
最大开启时间(吨)50 ns
Base Number Matches1
No ARP response in 2 seconds,
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