WS512K32-45G4TQ,WS512K32-45G4TQ pdf中文资料,WS512K32-45G4TQ引脚图,WS512K32-45G4TQ电路-Datasheet-电子工程世界

WS512K32-45G4TQ: 产品描述SRAM Module, 512KX32, 45ns, CMOS, CQFP68, 40 X 40 MM, 3.50 MM HEIGHT, HERMETIC SEALED, CERAMIC, QFP-68; 产品类别存储存储; 文件大小577KB，共11页; 制造商Microsemi; 官网地址https://www.microsemi.com

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WS512K32-45G4TQ概述

SRAM Module, 512KX32, 45ns, CMOS, CQFP68, 40 X 40 MM, 3.50 MM HEIGHT, HERMETIC SEALED, CERAMIC, QFP-68

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
零件包装代码	QFP
包装说明	40 X 40 MM, 3.50 MM HEIGHT, HERMETIC SEALED, CERAMIC, QFP-68
针数	68
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A001.A.2.C
最长访问时间	45 ns
其他特性	USER CONFIGURABLE AS 2M X 8
备用内存宽度	16
JESD-30 代码	S-CQFP-F68
JESD-609代码	e4
长度	39.6 mm
内存密度	16777216 bit
内存集成电路类型	SRAM MODULE
内存宽度	32
功能数量	1
端子数量	68
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	512KX32
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	QFF
封装形状	SQUARE
封装形式	FLATPACK
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
筛选级别	MIL-STD-883
座面最大高度	3.56 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	GOLD
端子形式	FLAT
端子节距	1.27 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	39.6 mm
Base Number Matches	1

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