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MT18JBZF25672PDIY-1G3XX

产品描述DDR DRAM Module, 256MX8, CMOS, LEAD FREE, RDIMM-240
产品类别存储    存储   
文件大小831KB,共21页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
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MT18JBZF25672PDIY-1G3XX概述

DDR DRAM Module, 256MX8, CMOS, LEAD FREE, RDIMM-240

MT18JBZF25672PDIY-1G3XX规格参数

参数名称属性值
零件包装代码DIMM
包装说明DIMM,
针数240
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式DUAL BANK PAGE BURST
其他特性SELF CONTAINED REFRESH; WD-MAX
JESD-30 代码R-XDMA-N240
长度133.35 mm
内存密度2147483648 bit
内存集成电路类型DDR DRAM MODULE
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量240
字数268435456 words
字数代码256000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织256MX8
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态Not Qualified
座面最大高度18 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)1.575 V
最小供电电压 (Vsup)1.425 V
标称供电电压 (Vsup)1.5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式NO LEAD
端子节距1 mm
端子位置DUAL
宽度4 mm
Base Number Matches1
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