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HY53C464S-12

产品描述Fast Page DRAM, 64KX4, 120ns, CMOS, PDIP18
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文件大小2MB,共15页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
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HY53C464S-12概述

Fast Page DRAM, 64KX4, 120ns, CMOS, PDIP18

HY53C464S-12规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明DIP, DIP18,.3
Reach Compliance Codecompliant
最长访问时间120 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDIP-T18
JESD-609代码e0
内存密度262144 bit
内存集成电路类型FAST PAGE DRAM
内存宽度4
端子数量18
字数65536 words
字数代码64000
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织64KX4
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP18,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期256
最大待机电流0.002 A
最大压摆率0.045 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
Base Number Matches1

HY53C464S-12相似产品对比

HY53C464S-12 HY53C464F-12 HY53C464LF-12 HY53C464LS-12
描述 Fast Page DRAM, 64KX4, 120ns, CMOS, PDIP18 Fast Page DRAM, 64KX4, 120ns, CMOS, PQCC18 Fast Page DRAM, 64KX4, 120ns, CMOS, PQCC18 Fast Page DRAM, 64KX4, 120ns, CMOS, PDIP18
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
包装说明 DIP, DIP18,.3 QCCJ, LDCC18,.33X.53 QCCJ, LDCC18,.33X.53 DIP, DIP18,.3
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
最长访问时间 120 ns 120 ns 120 ns 120 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PDIP-T18 R-PQCC-J18 R-PQCC-J18 R-PDIP-T18
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
内存密度 262144 bit 262144 bit 262144 bit 262144 bit
内存集成电路类型 FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM
内存宽度 4 4 4 4
端子数量 18 18 18 18
字数 65536 words 65536 words 65536 words 65536 words
字数代码 64000 64000 64000 64000
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 64KX4 64KX4 64KX4 64KX4
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP QCCJ QCCJ DIP
封装等效代码 DIP18,.3 LDCC18,.33X.53 LDCC18,.33X.53 DIP18,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE CHIP CARRIER CHIP CARRIER IN-LINE
电源 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 256 256 256 256
最大待机电流 0.002 A 0.002 A 0.001 A 0.001 A
最大压摆率 0.045 mA 0.045 mA 0.045 mA 0.045 mA
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO YES YES NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE J BEND J BEND THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL QUAD QUAD DUAL
Base Number Matches 1 1 1 1

 
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