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HY5DV1298022ATC-10

产品描述DDR DRAM, 16MX8, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66
产品类别存储    存储   
文件大小155KB,共19页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
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HY5DV1298022ATC-10概述

DDR DRAM, 16MX8, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66

HY5DV1298022ATC-10规格参数

参数名称属性值
零件包装代码TSOP2
包装说明TSOP2,
针数66
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
JESD-30 代码R-PDSO-G66
JESD-609代码e6
长度22.225 mm
内存密度134217728 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量66
字数16777216 words
字数代码16000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织16MX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层TIN BISMUTH
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置DUAL
宽度10.16 mm
Base Number Matches1
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