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CY62256V25L-100SNC

产品描述Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOIC-28
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文件大小337KB,共12页
制造商Cypress(赛普拉斯)
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CY62256V25L-100SNC概述

Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOIC-28

CY62256V25L-100SNC规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码SOIC
包装说明0.300 INCH, SOIC-28
针数28
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间100 ns
其他特性AUTOMATIC POWER-DOWN
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-G28
JESD-609代码e0
长度18.3896 mm
内存密度262144 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
湿度敏感等级1
功能数量1
端子数量28
字数32768 words
字数代码32000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织32KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP28,.5
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源2.5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度2.794 mm
最大待机电流0.00003 A
最小待机电流1.4 V
最大压摆率0.023 mA
最大供电电压 (Vsup)2.7 V
最小供电电压 (Vsup)2.3 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度7.5057 mm
Base Number Matches1

 
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