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SGST13003

产品描述1.5A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小101KB,共4页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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SGST13003概述

1.5A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR

SGST13003规格参数

参数名称属性值
Reach Compliance Codeunknown
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)1.5 A
集电极-发射极最大电压400 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)5
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值50 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)10 MHz
最大关闭时间(toff)3000 ns
VCEsat-Max3 V
Base Number Matches1

SGST13003相似产品对比

SGST13003 SGST13003T SGST13002 SGST13002T
描述 1.5A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR 1.5A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220, 3 PIN 1.5A, 300V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR 1.5A, 300V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220, 3 PIN
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
最大集电极电流 (IC) 1.5 A 1.5 A 1.5 A 1.5 A
集电极-发射极最大电压 400 V 400 V 300 V 300 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 5 5 5 5
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
元件数量 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN
功耗环境最大值 50 W 50 W 50 W 50 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 10 MHz 10 MHz 10 MHz 10 MHz
最大关闭时间(toff) 3000 ns 3000 ns 3000 ns 3000 ns
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