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IDT7MPV4163SA9M

产品描述SRAM Module, 512KX36, 9ns, CMOS
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文件大小128KB,共7页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT7MPV4163SA9M概述

SRAM Module, 512KX36, 9ns, CMOS

IDT7MPV4163SA9M规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间9 ns
JESD-30 代码R-XZMA-N144
JESD-609代码e0
内存密度18874368 bit
内存集成电路类型SRAM MODULE
内存宽度36
功能数量1
端口数量1
端子数量144
字数524288 words
字数代码512000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织512KX36
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)3.465 V
最小供电电压 (Vsup)3.135 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式NO LEAD
端子位置ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间30
Base Number Matches1

 
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