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HN1K02FU(TE85L)

产品描述Small Signal Field-Effect Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小328KB,共5页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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HN1K02FU(TE85L)概述

Small Signal Field-Effect Transistor

HN1K02FU(TE85L)规格参数

参数名称属性值
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
Base Number Matches1

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HN1K02FU
TOSHIBA Field Effect Transistor
Silicon N Channel MOS Type
HN1K02FU
High Speed Switching Applications
Analog Switch Applications
Unit: mm
2.5 V gate drive.
Low threshold voltage: V
th
= 0.5V to 1.5V
High speed
Enhancement-mode
Small package
(Q1, Q2 Common)
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characteristic
Drain-Source voltage
Gate-Source voltage
DC Drain current
Drain power dissipation
Channel temperature
Storage temperature range
Symbol
V
DS
V
GSS
I
D
P
D
*
T
ch
T
stg
Rating
20
10
50
200
150
−55
to 150
Unit
V
V
mA
mW
°C
°C
JEDEC
EIAJ
TOSHIBA
Weight: 6.8mg
2-2J1C
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum
ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
*
Total rating
Start of commercial production
1994-02
1
2014-03-01
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uart1 需要自己搭外设。看着datasheet配置完uart1 还是不行。到后来才发现 板子上的uart0 “对应”PC机上的虚拟串口在这里写下来,让有出现同样情况的朋友们明白下·~共同学习~~...
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