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SKR3F20/12

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 10A, 1200V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小190KB,共6页
制造商SEMIKRON
官网地址http://www.semikron.com
标准  
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SKR3F20/12概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 10A, 1200V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN

SKR3F20/12规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码DO-4
包装说明DO-4, 1 PIN
针数1
制造商包装代码CASE E7
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性LEAKAGE CURRENT IS TYPICAL
应用FAST SOFT RECOVERY
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)2.15 V
JEDEC-95代码DO-203AA
JESD-30 代码O-MUPM-D1
JESD-609代码e2
最大非重复峰值正向电流310 A
元件数量1
相数1
端子数量1
最高工作温度150 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流10 A
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压1200 V
最大反向电流200 µA
最大反向恢复时间0.6 µs
表面贴装NO
端子面层Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式SOLDER LUG
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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V
RSM
V
RRM
I
FRMS
(maximum values for continuous operation)
41 A
I
FAV
(sin. 180; T
case
= 85
°C)
26 A
t
rr
= 150 ns
t
rr
= 250 ns
Fast Recovery Rectifier
Diodes
SKN 2 F 17
SKN 3 F 20
SKR 2 F 17
SKR 3 F 20
V
400
SKN 2F17/04
SKR 2F17/04
SKN 2F17/04UNF SKR 2F17/04UNF
600
SKN 2F17/06
SKR 2F17/06
SKN 2F17/06UNF SKR 2F17/06UNF
800
SKN 2F17/08
SKN 2F17/08UNF
1000
SKN 2F17/10
SKN 2F17/10UNF
1200
SKR 2F17/08
SKR 2F17/08UNF
SKR 2F17/10
SKR 2F17/10UNF
SKN 3F20/08
SKN 3F20/08UNF
SKN 3F20/10
SKN 3F20/10UNF
SKN 3F20/12
SKN 3F20/12UNF
SKR 3F20/08
SKR 3F20/08UNF
SKR 3F20/10
SKR 3F20/10UNF
SKR 3F20/12
SKR 3F20/12UNF
Symbol
Conditions
SKN 2 F 17 SKN 3 F 20
SKR 2 F 17 SKR 3 F 20
Units
I
FAV
sin.180; T
case
= 85
°C;
f=5000 Hz
= 104
°C
= 113
°C
sin.180/rec.120; T
amb
= 5
°C;
K9
K5
T
vj
= 25
°C;
10 ms
T
vj
= 150
°C;
10 ms
T
vj
= 25
°C;
8,3 ... 10 ms
T
vj
= 150
°C;
8,3 ... 10 ms
26
17
6,7 /6,5
10/9,5
450
380
1000
720
1,0
4,5
max. 0,2
max. 16
max. 150
typ. 300
26
20
A
A
A
A
A
A
A
A
2
s
A
2
s
µC
A
mA
mA
ns
ns
V
V
mΩ
°C/W
°C/W
°C
°C
Nm
lb.in.
m/s
2
g
I
FSM
i
2
t
375
310
700
480
1,5
5
max. 0,2
max. 20
max. 250
typ. 500
Features
Small recovered charge
Soft recovery
Up to 1200 V reverse voltage
Hermetic metal cases with
glass insulators
Threaded studs ISO M5 or
10-32 UNF
SKN:
anode to stud
SKR:
cathode to stud
Typical Applications
Inverse diodes for power
transistors, GTO thyristors
asymmetric thyristors
SMPS, inverters, choppers
For severe ambient conditions
Q
rr
I
RM
I
R
t
rr
T
vj
= 130
°C;
I
F
= 50 A;
½
d
iF
A
dt
=
15
µ
s
;
V
R
=
30V
T
vj
= 25
°C;
V
R
= V
RRM
T
vj
= 130
°C;
V
R
= V
RRM
T
vj
= 25
°C
I =I =1A
T
vj
= 130
°C
½
F R
T
vj
= 25
°C;
I
F
= 50 A
T
vj
= 130
°C
T
vj
= 130
°C
V
F
V
(TO)
r
T
R
thjc
R
thch
T
vj
T
stg
M
max. 2,15
1,3
12
1,2
0,5
– 40 . . . + 150
– 55 . . . + 150
SI units
US units
1,5
13
5 . 9,81
7
E7
a
w
Case
© by SEMIKRON
B9–5

SKR3F20/12相似产品对比

SKR3F20/12 SKN3F20/12 SKN3F20/10 SKN3F20/12UNF SKR3F20/08UNF SKR3F20/10
描述 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 10A, 1200V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 10A, 1200V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 10A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 10A, 1200V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 10A, 800V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 10A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合
零件包装代码 DO-4 DO-4 DO-4 DO-4 DO-4 DO-4
包装说明 DO-4, 1 PIN DO-4, 1 PIN DO-4, 1 PIN DO-4, 1 PIN O-MUPM-D1 O-MUPM-D1
针数 1 1 1 1 1 1
制造商包装代码 CASE E7 CASE E7 CASE E7 CASE E7 CASE E7 CASE E7
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 LEAKAGE CURRENT IS TYPICAL LEAKAGE CURRENT IS TYPICAL LEAKAGE CURRENT IS TYPICAL LEAKAGE CURRENT IS TYPICAL LEAKAGE CURRENT IS TYPICAL LEAKAGE CURRENT IS TYPICAL
应用 FAST SOFT RECOVERY FAST SOFT RECOVERY FAST SOFT RECOVERY FAST SOFT RECOVERY FAST SOFT RECOVERY FAST SOFT RECOVERY
外壳连接 CATHODE ANODE ANODE ANODE CATHODE CATHODE
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 2.15 V 2.15 V 2.15 V 2.15 V 2.15 V 2.15 V
JEDEC-95代码 DO-203AA DO-203AA DO-203AA DO-203AA DO-203AA DO-203AA
JESD-30 代码 O-MUPM-D1 O-MUPM-D1 O-MUPM-D1 O-MUPM-D1 O-MUPM-D1 O-MUPM-D1
JESD-609代码 e2 e2 e2 e2 e2 e2
最大非重复峰值正向电流 310 A 310 A 310 A 310 A 310 A 310 A
元件数量 1 1 1 1 1 1
相数 1 1 1 1 1 1
端子数量 1 1 1 1 1 1
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
最大输出电流 10 A 10 A 10 A 10 A 10 A 10 A
封装主体材料 METAL METAL METAL METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 1200 V 1200 V 1000 V 1200 V 800 V 1000 V
最大反向电流 200 µA 200 µA 200 µA 200 µA 200 µA 200 µA
最大反向恢复时间 0.6 µs 0.6 µs 0.6 µs 0.6 µs 0.6 µs 0.6 µs
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
端子面层 Tin/Silver (Sn/Ag) Tin/Silver (Sn/Ag) Tin/Silver (Sn/Ag) Tin/Silver (Sn/Ag) Tin/Silver (Sn/Ag) Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式 SOLDER LUG SOLDER LUG SOLDER LUG SOLDER LUG SOLDER LUG SOLDER LUG
端子位置 UPPER UPPER UPPER UPPER UPPER UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
Base Number Matches 1 1 1 1 - -

 
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