12A, 60V, 0.15ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 其他特性 | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 12 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 12 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.15 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss) | 100 pF |
| JEDEC-95代码 | TO-220AB |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 175 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值 | 50 W |
| 最大功率耗散 (Abs) | 40 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 36 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 最大关闭时间（toff） | 250 ns |
| 最大开启时间（吨） | 270 ns |
| Base Number Matches | 1 |
| NDP406BL | NDB406BL | NDB406AL | NDP406AL | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | 12A, 60V, 0.15ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | 12A, 60V, 0.15ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB | 15A, 60V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB | 15A, 60V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 其他特性 | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 60 V | 60 V | 60 V | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 12 A | 12 A | 15 A | 15 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.15 Ω | 0.15 Ω | 0.1 Ω | 0.1 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss) | 100 pF | 100 pF | 100 pF | 100 pF |
| JEDEC-95代码 | TO-220AB | TO-263AB | TO-263AB | TO-220AB |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 | R-PSSO-G2 | R-PSSO-G2 | R-PSFM-T3 |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 2 | 2 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 175 °C | 175 °C | 175 °C | 175 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值 | 50 W | 50 W | 50 W | 50 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 36 A | 36 A | 45 A | 45 A |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO | YES | YES | NO |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | GULL WING | GULL WING | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON |
| 最大关闭时间（toff） | 250 ns | 250 ns | 250 ns | 250 ns |
| 最大开启时间（吨） | 270 ns | 270 ns | 270 ns | 270 ns |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | 1 |
嵌入式系统
stm32/stm8
嵌入式系统
模拟与混合信号
传感器
PCB设计
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