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NE800200

产品描述RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小174KB,共4页
制造商California Eastern Labs
官网地址http://www.cel.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

NE800200概述

RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET

NE800200规格参数

参数名称属性值
包装说明UNCASED CHIP, R-XUUC-N5
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (ID)1 A
FET 技术METAL SEMICONDUCTOR
最高频带C BAND
JESD-30 代码R-XUUC-N5
元件数量1
端子数量5
工作模式DEPLETION MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式UNCASED CHIP
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches1

NE800200相似产品对比

NE800200 NE800299 NE800100
描述 RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET
包装说明 UNCASED CHIP, R-XUUC-N5 FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 UNCASED CHIP, R-XUUC-N5
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小漏源击穿电压 20 V 20 V 20 V
最大漏极电流 (ID) 1 A 1 A 0.55 A
FET 技术 METAL SEMICONDUCTOR METAL SEMICONDUCTOR METAL SEMICONDUCTOR
最高频带 C BAND C BAND C BAND
JESD-30 代码 R-XUUC-N5 R-CDFM-F2 R-XUUC-N5
元件数量 1 1 1
端子数量 5 2 5
工作模式 DEPLETION MODE DEPLETION MODE DEPLETION MODE
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C
封装主体材料 UNSPECIFIED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 UNCASED CHIP FLANGE MOUNT UNCASED CHIP
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES
端子形式 NO LEAD FLAT NO LEAD
端子位置 UPPER DUAL UPPER
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches 1 1 1
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