Insulated Gate Bipolar Transistor, 48A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-258AA, TO-258, 3 PIN
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 零件包装代码 | TO-258 |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| 最大集电极电流 (IC) | 48 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 600 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最大降落时间（tf） | 100 ns |
| JEDEC-95代码 | TO-258AA |
| JESD-30 代码 | R-MSFM-P3 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 封装主体材料 | METAL |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | PIN/PEG |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| Base Number Matches | 1 |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
