CY7C162A-25DMB,CY7C162A-25DMB pdf中文资料,CY7C162A-25DMB引脚图,CY7C162A-25DMB电路-Datasheet-电子工程世界

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CY7C162A-25DMB: 产品描述Standard SRAM, 16KX4, 25ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, CERDIP-28; 产品类别存储存储; 文件大小170KB，共10页; 制造商Cypress(赛普拉斯)

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CY7C162A-25DMB概述

Standard SRAM, 16KX4, 25ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, CERDIP-28

CY7C162A-25DMB规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
零件包装代码	DIP
包装说明	0.300 INCH, CERDIP-28
针数	28
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	3A001.A.2.C
最长访问时间	25 ns
其他特性	AUTOMATIC POWER-DOWN
I/O 类型	SEPARATE
JESD-30 代码	R-GDIP-T28
JESD-609代码	e0
长度	37.0205 mm
内存密度	65536 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	4
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	28
字数	16384 words
字数代码	16000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	16KX4
输出特性	3-STATE
可输出	YES
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP28,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
筛选级别	38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度	5.08 mm
最大待机电流	0.02 A
最小待机电流	4.5 V
最大压摆率	0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	7.62 mm
Base Number Matches	1

CY7C162A-25DMB相似产品对比

	CY7C162A-25DMB	CY7C161A-25DMB	CY7C162A-15LMB	CY7C162A-20LMB	CY7C162A-25LMB	CY7C161A-20DMB
描述	Standard SRAM, 16KX4, 25ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, CERDIP-28	Standard SRAM, 16KX4, 25ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, CERDIP-28	Standard SRAM, 16KX4, 15ns, CMOS, CQCC28, CERAMIC, LCC-28	Standard SRAM, 16KX4, 20ns, CMOS, CQCC28, CERAMIC, LCC-28	Standard SRAM, 16KX4, 25ns, CMOS, CQCC28, CERAMIC, LCC-28	Standard SRAM, 16KX4, 20ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, CERDIP-28
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	DIP	DIP	QLCC	QLCC	QLCC	DIP
包装说明	0.300 INCH, CERDIP-28	0.300 INCH, CERDIP-28	CERAMIC, LCC-28	CERAMIC, LCC-28	CERAMIC, LCC-28	0.300 INCH, CERDIP-28
针数	28	28	28	28	28	28
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C
最长访问时间	25 ns	25 ns	15 ns	20 ns	25 ns	20 ns
其他特性	AUTOMATIC POWER-DOWN	AUTOMATIC POWER-DOWN; TRANSPARENT WRITE	AUTOMATIC POWER-DOWN	AUTOMATIC POWER-DOWN	AUTOMATIC POWER-DOWN	AUTOMATIC POWER-DOWN; TRANSPARENT WRITE
I/O 类型	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE
JESD-30 代码	R-GDIP-T28	R-GDIP-T28	R-CQCC-N28	R-CQCC-N28	R-CQCC-N28	R-GDIP-T28
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0
长度	37.0205 mm	37.0205 mm	13.97 mm	13.97 mm	13.97 mm	37.0205 mm
内存密度	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	4	4	4	4	4	4
功能数量	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	28	28	28	28	28	28
字数	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words
字数代码	16000	16000	16000	16000	16000	16000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
组织	16KX4	16KX4	16KX4	16KX4	16KX4	16KX4
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
可输出	YES	YES	YES	YES	YES	YES
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	DIP	DIP	QCCN	QCCN	QCCN	DIP
封装等效代码	DIP28,.3	DIP28,.3	LCC28,.35X.55	LCC28,.35X.55	LCC28,.35X.55	DIP28,.3
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	240	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
筛选级别	38535Q/M;38534H;883B	38535Q/M;38534H;883B	38535Q/M;38534H;883B	38535Q/M;38534H;883B	38535Q/M;38534H;883B	38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度	5.08 mm	5.08 mm	1.905 mm	1.905 mm	1.905 mm	5.08 mm
最大待机电流	0.02 A	0.02 A	0.02 A	0.02 A	0.02 A	0.02 A
最小待机电流	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
最大压摆率	0.1 mA	0.1 mA	0.16 mA	0.1 mA	0.1 mA	0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	YES	YES	YES	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	QUAD	QUAD	QUAD	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	30	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	7.62 mm	7.62 mm	8.89 mm	8.89 mm	8.89 mm	7.62 mm
Base Number Matches	1	1	1	1	1	-

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