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TSS0230LURGG

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 35V V(RRM), Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小307KB,共4页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

TSS0230LURGG概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 35V V(RRM), Silicon,

TSS0230LURGG规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明R-PDSO-N2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-N2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流0.2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
最大功率耗散0.15 W
最大重复峰值反向电压35 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL
Base Number Matches1

TSS0230LURGG相似产品对比

TSS0230LURGG TSS0230LU RGG TSS0230U RGG
描述 Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 35V V(RRM), Silicon, DIODE SCHOTTKY 35V 200MA 0603 DIODE SCHOTTKY 35V 200MA 0603
二极管类型 RECTIFIER DIODE 肖特基 肖特基
电压 - DC 反向(Vr)(最大值) - 35V 35V
电流 - 平均整流(Io) - 200mA 200mA
不同 If 时的电压 - 正向(Vf - 500mV @ 200mA 600mV @ 200mA
速度 - 小信号 =< 200mA(Io),任意速度 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 - 30µA @ 10V 1µA @ 10V
安装类型 - 表面贴装 表面贴装
封装/外壳 - 0603(1608 公制) 0201(0603 公制)
供应商器件封装 - 603 603
工作温度 - 结 - -40°C ~ 125°C -40°C ~ 125°C

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