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SML20W65R1

产品描述Power Field-Effect Transistor, 65A I(D), 200V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-267AA, TO-267, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小26KB,共2页
制造商TT Electronics plc
官网地址http://www.ttelectronics.com/
标准
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SML20W65R1概述

Power Field-Effect Transistor, 65A I(D), 200V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-267AA, TO-267, 3 PIN

SML20W65R1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)2500 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压200 V
最大漏极电流 (ID)65 A
最大漏源导通电阻0.026 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-267AA
JESD-30 代码R-MSFM-P3
JESD-609代码e1
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料METAL
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)260 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式PIN/PEG
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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SML20W65
TO–267 Package Outline.
Dimensions in mm (inches)
N–CHANNEL
ENHANCEMENT MODE
HIGH VOLTAGE
POWER MOSFETS
V
DSS
200V
65A
I
D(cont)
R
DS(on)
0.026Ω
• Faster Switching
• Lower Leakage
• TO–267 Hermetic Package
D
StarMOS is a new generation of high voltage
N–Channel enhancement mode power MOSFETs.
This new technology minimises the JFET effect,
increases packing density and reduces the
on-resistance. StarMOS also achieves faster
switching speeds through optimised gate layout.
G
S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
case
= 25°C unless otherwise stated)
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
, T
STG
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
Drain – Source Voltage
Continuous Drain Current
3
Pulsed Drain Current
1 3
Gate – Source Voltage
Gate – Source Voltage Transient
Total Power Dissipation @ T
case
= 25°C
Derate Linearly
Operating and Storage Junction Temperature Range
Lead Temperature : 0.063” from Case for 10 Sec.
Avalanche Current
1 3
(Repetitive and Non-Repetitive)
Repetitive Avalanche Energy
1
Single Pulse Avalanche Energy
2
1) Repetitive Rating: Pulse Width limited by maximum junction temperature.
2) Starting T
J
= 25°C, L = 1.18mH, R
G
= 25Ω, Peak I
L
= 65A
3) Maximum current limited by package.
200
65
260
±30
±40
400
3.2
–55 to 150
300
65
50
2500
V
A
A
V
W
W/°C
°C
A
mJ
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.
Website:
http://www.semelab.co.uk
E-mail:
sales@semelab.co.uk
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描述 Power Field-Effect Transistor, 65A I(D), 200V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-267AA, TO-267, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 65A I(D), 200V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-267AA, TO-267, 3 PIN
是否Rohs认证 符合 不符合
包装说明 FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3 FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3
Reach Compliance Code compliant compli
ECCN代码 EAR99 EAR99
雪崩能效等级(Eas) 2500 mJ 2500 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 200 V 200 V
最大漏极电流 (ID) 65 A 65 A
最大漏源导通电阻 0.026 Ω 0.026 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-267AA TO-267AA
JESD-30 代码 R-MSFM-P3 R-MSFM-P3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 METAL METAL
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 260 A 260 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
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