EEPROM, 1KX8, Serial, CMOS, PDSO20, 0.170 INCH, TSSOP-20
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
零件包装代码 | TSSOP |
包装说明 | TSSOP, TSSOP20,.25 |
针数 | 20 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | DATA RETENTION: 100 YEARS |
最大时钟频率 (fCLK) | 3 MHz |
数据保留时间-最小值 | 100 |
耐久性 | 1000000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G20 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 6.5 mm |
内存密度 | 8192 bit |
内存集成电路类型 | EEPROM |
内存宽度 | 8 |
湿度敏感等级 | 2 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 20 |
字数 | 1024 words |
字数代码 | 1000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 1KX8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TSSOP |
封装等效代码 | TSSOP20,.25 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
并行/串行 | SERIAL |
电源 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.2 mm |
串行总线类型 | SPI |
最大待机电流 | 0.000002 A |
最大压摆率 | 0.005 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 0.65 mm |
端子位置 | DUAL |
宽度 | 4.4 mm |
最长写入周期时间 (tWC) | 5 ms |
写保护 | HARDWARE/SOFTWARE |
Base Number Matches | 1 |
AT25080T2-10TI | AT25160T2-10TC | AT25160T2-10TI | AT25080T2-10TC | |
---|---|---|---|---|
描述 | EEPROM, 1KX8, Serial, CMOS, PDSO20, 0.170 INCH, TSSOP-20 | EEPROM, 2KX8, Serial, CMOS, PDSO20, 0.170 INCH, TSSOP-20 | EEPROM, 2KX8, Serial, CMOS, PDSO20, 0.170 INCH, TSSOP-20 | EEPROM, 1KX8, Serial, CMOS, PDSO20, 0.170 INCH, TSSOP-20 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
零件包装代码 | TSSOP | TSSOP | TSSOP | TSSOP |
包装说明 | TSSOP, TSSOP20,.25 | TSSOP, TSSOP20,.25 | TSSOP, TSSOP20,.25 | TSSOP, TSSOP20,.25 |
针数 | 20 | 20 | 20 | 20 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
其他特性 | DATA RETENTION: 100 YEARS | DATA RETENTION: 100 YEARS | DATA RETENTION: 100 YEARS | DATA RETENTION: 100 YEARS |
最大时钟频率 (fCLK) | 3 MHz | 3 MHz | 3 MHz | 3 MHz |
数据保留时间-最小值 | 100 | 100 | 100 | 100 |
耐久性 | 1000000 Write/Erase Cycles | 1000000 Write/Erase Cycles | 1000000 Write/Erase Cycles | 1000000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G20 | R-PDSO-G20 | R-PDSO-G20 | R-PDSO-G20 |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 |
长度 | 6.5 mm | 6.5 mm | 6.5 mm | 6.5 mm |
内存密度 | 8192 bit | 16384 bit | 16384 bit | 8192 bit |
内存集成电路类型 | EEPROM | EEPROM | EEPROM | EEPROM |
内存宽度 | 8 | 8 | 8 | 8 |
湿度敏感等级 | 2 | 2 | 2 | 2 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 20 | 20 | 20 | 20 |
字数 | 1024 words | 2048 words | 2048 words | 1024 words |
字数代码 | 1000 | 2000 | 2000 | 1000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C | 70 °C | 85 °C | 70 °C |
组织 | 1KX8 | 2KX8 | 2KX8 | 1KX8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TSSOP | TSSOP | TSSOP | TSSOP |
封装等效代码 | TSSOP20,.25 | TSSOP20,.25 | TSSOP20,.25 | TSSOP20,.25 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
并行/串行 | SERIAL | SERIAL | SERIAL | SERIAL |
电源 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.2 mm | 1.2 mm | 1.2 mm | 1.2 mm |
串行总线类型 | SPI | SPI | SPI | SPI |
最大待机电流 | 0.000002 A | 0.000002 A | 0.000002 A | 0.000002 A |
最大压摆率 | 0.005 mA | 0.005 mA | 0.005 mA | 0.005 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
表面贴装 | YES | YES | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL | COMMERCIAL | INDUSTRIAL | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | GULL WING | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
端子节距 | 0.65 mm | 0.65 mm | 0.65 mm | 0.65 mm |
端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
宽度 | 4.4 mm | 4.4 mm | 4.4 mm | 4.4 mm |
最长写入周期时间 (tWC) | 5 ms | 5 ms | 5 ms | 5 ms |
写保护 | HARDWARE/SOFTWARE | HARDWARE/SOFTWARE | HARDWARE/SOFTWARE | HARDWARE/SOFTWARE |
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