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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> BUV23-QR-B
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BUV23-QR-B

产品描述Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 325V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AE, Metal, 2 Pin, HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小11KB，共1页
制造商TT Electronics plc
官网地址http://www.ttelectronics.com/
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BUV23-QR-B概述

Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 325V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AE, Metal, 2 Pin, HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN

BUV23-QR-B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN
Reach Compliance Codecompliant
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)30 A
集电极-发射极最大电压325 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)15
JEDEC-95代码TO-204AE
JESD-30 代码O-MBFM-P2
元件数量1
端子数量2
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)8 MHz
Base Number Matches1

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BUV23
Dimensions in mm (inches).
25.15 (0.99)
26.67 (1.05)
10.67 (0.42)
11.18 (0.44)
1.52 (0.06)
3.43 (0.135)
6.35 (0.25)
9.15 (0.36)
Bipolar NPN Device in a
Hermetically sealed TO3
Metal Package.
38.61 (1.52)
39.12 (1.54)
1.47 (0.058)
1.60 (0.063)
29.9 (1.177)
30.4 (1.197)
16.64 (0.655)
17.15 (0.675)
1
2
3
(case)
3.84 (0.151)
4.09 (0.161)
7.92 (0.312)
12.70 (0.50)
TO3 (TO204AE)
PINOUTS
1 – Base
2 – Emitter
Case - Collector
Parameter
V
CEO
*
I
C(CONT)
h
FE
f
t
P
D
Test Conditions
22.23
(0.875)
max.
Min.
Typ.
Max.
325
30
Units
V
A
-
Hz
@ 4/8 (V
CE
/ I
C
)
15
8M
60
250
W
* Maximum Working Voltage
This is a shortform datasheet. For a full datasheet please contact
sales@semelab.co.uk.
Semelab Plc reserves the right to change test conditions, parameter limits and package dimensions without notice. Information furnished by Semelab is believed
to be both accurate and reliable at the time of going to press. However Semelab assumes no responsibility for any errors or omissions discovered in its use.
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.
E-mail:
sales@semelab.co.uk
Website:
http://www.semelab.co.uk
Generated
1-Aug-02

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描述 Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 325V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AE, Metal, 2 Pin, HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 325V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AE, Metal, 2 Pin, HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 325V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AE, Metal, 2 Pin, HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 325V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AE, Metal, 2 Pin, HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 325V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AE, Metal, 2 Pin, HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN
是否Rohs认证 不符合 符合 不符合 符合 符合
包装说明 HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 30 A 30 A 30 A 30 A 30 A
集电极-发射极最大电压 325 V 325 V 325 V 325 V 325 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 15 15 15 15 15
JEDEC-95代码 TO-204AE TO-204AE TO-204AE TO-204AE TO-204AE
JESD-30 代码 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2
元件数量 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2 2
封装主体材料 METAL METAL METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO NO
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 8 MHz 8 MHz 8 MHz 8 MHz 8 MHz
Base Number Matches 1 1 1 - -
JESD-609代码 - e1 - e1 e1
端子面层 - TIN SILVER COPPER - TIN SILVER COPPER TIN SILVER COPPER

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